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| KDP晶体中杂质缺陷吸收引起的温度场模型 | |
| 引用本文： | 张英聪,沈华,朱日宏.KDP晶体中杂质缺陷吸收引起的温度场模型[J].激光与光电子学进展,2014,51(2):21602. |
| 作者姓名： | 张英聪 沈华 朱日宏 |
| 作者单位： | 张英聪:南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094 沈华:南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094 朱日宏:南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094 |
| 基金项目： | 江苏省普通高校研究生科研创新计划(CXLX13_176)、江苏省自然科学基金(BK2012802) |
| 摘 要： | 在点源热脉冲传热模型的理论基础上,采用格林函数法建立了由于单个杂质缺陷吸收引起的温度场模型,得到了杂质附近温度场的解析表达式,分析了激光脉冲参数对温度场的影响情况,并在单个杂质吸收的理论基础上推导得到KDP晶体某一区域内含多个杂质吸收的模型。结果表明杂质吸收引起的温度变化与激光脉冲参数密切相关。当杂质间距离小于激光持续时间内产生的热扩散距离时,就会引起杂质间温度场的叠加,并且当杂质密度大到一定程度时,会使杂质团区域的温升加剧,导致晶体发生激光诱导损伤的可能性加大。 |
| 关 键 词： | 材料 KDP晶体 杂质 吸收 损伤 |
| 收稿时间： | 2013/10/28 |
Model of Temperature Field Caused by the Impurity Defect Absorption in KDP Crystal |
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| Abstract: | |
| Keywords: | materials KDP crystal impurity absorption damage |
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