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| PECVD法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究 | |
| 作者姓名： | 王锋广东省电子技术学校 陈蒲生 王川 刘小阳 田万廷 |
| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系，南方四通公司信息研究所，华南理工大学测试分析中心，华南理工大学应用物理系 |
| 摘 要： | 在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜的光学特性和微观组分结构。并探讨多种工艺制备条件对薄膜微观结构的影响 |
| 关 键 词： | 低温 等离子体增强化学气相淀积 介质膜 微观结构 光学特性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |