| 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染 |
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| 引用本文： | 马芙蓉,李雪春,梁宏,吴虎才,李晓民,陈如意,罗晏,卢志恒. 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染[J]. 半导体学报, 2003, 24(8): 813-816 |
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| 作者姓名： | 马芙蓉 李雪春 梁宏 吴虎才 李晓民 陈如意 罗晏 卢志恒 |
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| 作者单位： | [1]北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京100875；北京师范大学低能核物理研究所，北京100875 [2]北京师范大学物理系，北京100875 [3]北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京100875；北京师范大学物理系，北京100875 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69976005; |
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| 摘 要： | 研究了采用感应耦合等离子体原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;6 0nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.
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| 关 键 词： | SOI材料 金属污染 感应耦合等离子体技术 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)08-0813-04 |
| 修稿时间： | 2002-09-30 |
Characterization of Metallic Impurity Contamination During High Dose Implantation of Oxygen into Silicon Using ICP-AES |
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| Ma Furong ,,Li Xuechun ,Liang Hong ,,Wu Hucai ,,Li Xiaomin ,,Chen Ruyi ,,Luo Yan , and Lu Zhiheng . Characterization of Metallic Impurity Contamination During High Dose Implantation of Oxygen into Silicon Using ICP-AES[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(8): 813-816 |
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| Authors: | Ma Furong Li Xuechun Liang Hong Wu Hucai Li Xiaomin Chen Ruyi Luo Yan Lu Zhiheng |
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| Affiliation: | Ma Furong 1,2,Li Xuechun 3,Liang Hong 1,2,Wu Hucai 1,2,Li Xiaomin 1,2,Chen Ruyi 1,2,Luo Yan 1,2 and Lu Zhiheng 1,3 |
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| Abstract: | The characterization by means of inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP AES) for metal impurity contamination produced during the high dose oxygen ion implantation for fabricating SIMOX SOI materials is investigated.The effect for the reduction of the contamination is studied by the methods of strong acid cleaning and SiO 2 film covering.It is found that high dose O + implantation brings metal contaminations mainly including Al,Ar,Fe,Ni.But strong acid cleaning after implantation effectively reduces these metal impurity of the surface silicon layer,especially Al,and 60 nm SiO 2 protecting film on silicon for implantation can cut down half of the metal contamination. |
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| Keywords: | SOI material metal contamination inductively coupled plasma technology |
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