| Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6半导体异质结的脉冲激光沉积法制备及其光电性能 |
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| 引用本文： | 王杰,马帅,夏丰金,董红周,沙震宗,贾瑞彬.Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6半导体异质结的脉冲激光沉积法制备及其光电性能[J].材料工程,2021,49(7):103-111. |
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| 作者姓名： | 王杰 马帅 夏丰金 董红周 沙震宗 贾瑞彬 |
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| 作者单位： | 青岛科技大学 材料科学与工程学院,山东 青岛 266042;青岛科技大学 数理学院,山东 青岛 266061;青岛科技大学 材料科学与工程学院,山东 青岛 266042;青岛科技大学 数理学院,山东 青岛 266061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;青岛市民生科技计划 |
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| 摘 要： | 为充分发挥无机铁电氧化物双钙钛矿Bi2FeCrO6(BFCO)的光电特性,选择P型半导体化合物Cu2ZnSnS4(CZTS)作为空穴传输层与BFCO结合,构建半导体异质结.采用脉冲激光沉积法(PLD)制备得到上述两种多元化合物薄膜,SEM,AFM,EDS及XRD测试结果可证明所得产物形貌均匀致密、且符合化学计量比;原位逐层沉积技术可以抑制异质结界面缺陷和杂质的产生.着重研究了沉积温度及不同基底对薄膜性能的影响.采用基于可见光吸收谱的测试和Tauc方法分别估算BFCO和CZTS薄膜的禁带宽度,结果分别为2.23 eV和1.49 eV.研究结果表明:该异质结具有良好的整流特性;当电场强度在0.5 kV/cm到2.0 kV/cm之间时,结构漏电机制符合Schottky发射模型.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 铜锌锡硫 铋铁铬氧 异质结 半导体 |
Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6 semiconductor heterojunction grown by pulsed laser deposition and its optoelectronic properties |
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| WANG Jie,MA Shuai,XIA Feng-jin,DONG Hong-zhou,SHA Zhen-zong,JIA Rui-bin.Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6 semiconductor heterojunction grown by pulsed laser deposition and its optoelectronic properties[J].Journal of Materials Engineering,2021,49(7):103-111. |
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| Authors: | WANG Jie MA Shuai XIA Feng-jin DONG Hong-zhou SHA Zhen-zong JIA Rui-bin |
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