| ZnO全光控忆阻器及其类突触行为 |
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| 引用本文： | 杨静,卢焕明,叶羽敏,诸葛飞. ZnO全光控忆阻器及其类突触行为[J]. 材料科学与工程学报, 2021, 39(3): 393-397. DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2021.03.007 |
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| 作者姓名： | 杨静 卢焕明 叶羽敏 诸葛飞 |
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| 作者单位： | 宁波大学 材料科学与化学工程学院,浙江 宁波 315211;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201;宁波大学 材料科学与化学工程学院,浙江 宁波 315211;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201;中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心,上海 200031 |
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| 摘 要： | 本研究基于ZnO制备了一种全光控忆阻器,短波光照射可增大器件电导,长波光则可降低电导,并且电导态可以长时间保持.因此,通过改变施加光信号的波长,可实现忆阻器电导的可逆调控.基于以上特性,该器件可以模拟突触基本功能,包括长程增强与长程抑制、光功率密度依赖可塑性、频率依赖可塑性以及学习-遗忘-再学习的经验学习行为.与电相比...
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| 关 键 词： | 忆阻器 全光控 ZnO 突触可塑性 |
All-optically Controlled ZnO Memristor and Its Synaptic Behavior |
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| YANG Jing,LU Huanming,YE Yumin,ZHUGE Fei. All-optically Controlled ZnO Memristor and Its Synaptic Behavior[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2021, 39(3): 393-397. DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2021.03.007 |
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| Authors: | YANG Jing LU Huanming YE Yumin ZHUGE Fei |
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