| Nafion复合铋膜修饰丝网印刷电极测定痕量镉离子 |
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| 引用本文： | 唐立超,唐美华,石成成,蔡清,张东明,张之翼,王济奎,陈国松.Nafion复合铋膜修饰丝网印刷电极测定痕量镉离子[J].现代化工,2014(8):176-178. |
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| 作者姓名： | 唐立超 唐美华 石成成 蔡清 张东明 张之翼 王济奎 陈国松 |
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| 作者单位： | 南京工业大学理学院;南京工业大学生物与制药工程学院 |
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| 摘 要： | 制备了Nafion修饰的丝网印刷电极,并用于同位镀铋膜法测定痕量重金属离子Cd2+。将Nafion溶液滴涂在丝网印刷电极表面制得修饰电极。在含Bi3+的0.1 mol/L醋酸缓冲溶液(pH为4.7)中,将Bi3+与Cd2+共同电沉积在修饰电极表面,再以方波阳极溶出伏安法(SWSV)检测Cd2+的浓度。优化了镀膜条件,考察了Nafion膜厚度及Bi3+浓度对溶出电流的影响。在优化的条件下,0~100μg/L质量浓度范围内Cd2+浓度与溶出峰电流呈现良好的线性关系,检出限为1μg/L,重现性良好,可用于大米中痕量重金属离子Cd2+的快速测定。
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| 关 键 词： | 铋 镉 丝网印刷电极 Nafion 方波溶出伏安法 |
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