| GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱 |
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| 引用本文： | 姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益.GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱[J].半导体学报,2000,21(5):437-440. |
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| 作者姓名： | 姚冬敏 辛勇 王立 李述体 熊传兵 彭学新 刘念华 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所!南昌330047(姚冬敏，辛勇，王立，李述体，熊传兵，彭学新，刘念华)，南昌大学材料科学 (江风益) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);; |
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| 摘 要： | 采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试.它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致
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| 关 键 词： | GaN RBS/沟道 X射线双晶衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0437-04 |
| 修稿时间： | 1999年2月9日 |
Rutherford Backscattering and Channeling,Double Crystal X-ray Diffraction and Photoluminescence of GaN |
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| YAO Dong\|min,XIN Yong,WANG Li,LI Shu\|ti,XIONG Chuan\|bing,PENG Xue\|xin,LIU Nian\|hua and JIANG Feng\|yi.Rutherford Backscattering and Channeling,Double Crystal X-ray Diffraction and Photoluminescence of GaN[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(5):437-440. |
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| Authors: | YAO Dong\|min XIN Yong WANG Li LI Shu\|ti XIONG Chuan\|bing PENG Xue\|xin LIU Nian\|hua and JIANG Feng\|yi |
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| Abstract: | Rutherford Backscattering and Channeling\,double crystal X\|ray diffraction\,photoluminescence technique are used to study the quality of undoped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy on Al\-2O\-3 substrates.The results show that they have good agreements with each other in characterizing the quality of GaN films. |
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| Keywords: | GaN RBS/channeling XRD PL |
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