在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展

作者姓名：	何兴仁

作者单位：	重庆光电技术研究所

摘要：	本文介绍目前国外直接在 Si(100)衬底上异质外延生长以 GaAs 为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和器件的进展。
关键词：	硅衬底晶体生长半导体器件
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