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在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展
作者姓名:何兴仁
作者单位:重庆光电技术研究所
摘    要:本文介绍目前国外直接在 Si(100)衬底上异质外延生长以 GaAs 为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和器件的进展。

关 键 词:硅衬底 晶体生长 半导体器件
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