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| K波段离子注入GaAs场效应晶体管 | |
| 引用本文： | Chiung T.Li,袁明文.K波段离子注入GaAs场效应晶体管[J].微纳电子技术,1979(4). |
| 作者姓名： | Chiung T.Li 袁明文 |
| 作者单位： | 美国HP公司SantaRosa微波工艺中心(Chiung T.Li) |
| 摘 要： | 本文介绍了一个离子注入的、应用于K波段的0.5微米栅长GaAsMESEFT。采用硅注入形成沟道层和N~ 接触层。该器件在18千兆赫下增益9.8分贝,其外推的最高振荡频率f_(max)约80千兆赫。25千兆赫下,作为可调振荡器获得12.1分贝毫瓦的输出功率,作为窄带反射型放大器,输出功率为11分贝毫瓦时具有16分贝的增益。 |
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