|
|||||
|
|
| SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响 | |
| 引用本文： | 黄庆安,童勤义.SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响[J].半导体学报,1995,16(5):391-394. |
| 作者姓名： | 黄庆安 童勤义 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ． |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |