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杂志ISSN号
SiO_2钝化腹对硅/玻璃静电键合的影响
作者姓名:
黄庆安
童勤义
作者单位:
东南大学微电子中心
摘 要:
本文分析了硅/玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用.SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱,键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击穿电压的控制,对于商用抛光硅片与玻璃,要完成良好的键合,一般SiO2厚度要小于0.5μm.
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