| 退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究 |
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| 引用本文： | 王华,于军,王耘波,倪尔瑚. 退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究[J]. 材料工程, 2002, 0(11): 29-31,47 |
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| 作者姓名： | 王华 于军 王耘波 倪尔瑚 |
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| 作者单位： | 1. 桂林电子工业学院通信与信息工程系,桂林,541004
2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目资助 (697710 2 4)，广西教育厅基金项目资助 (桂教科研 2 0 0 15 6) |
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| 摘 要： | 采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明，退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态，退火温度在550-850℃范围内均为多晶薄膜，而且随退火温度升高，Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长；而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大，但在较高温度下增长速度趋缓。
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| 关 键 词： | Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜 铁电薄膜 Bi4Ti3O12 微观结构 退火温度 硅 钛酸铋 |
| 文章编号： | 1001-4381(2002)11-0029-03 |
Temperature Effects on Microstructure of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Films on Si Substrates |
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| WANG Hua ,YU Jun ,WANG Yun bo ,NI Er hu. Temperature Effects on Microstructure of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Films on Si Substrates[J]. Journal of Materials Engineering, 2002, 0(11): 29-31,47 |
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| Authors: | WANG Hua YU Jun WANG Yun bo NI Er hu |
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| Affiliation: | WANG Hua 1,YU Jun 2,WANG Yun bo 2,NI Er hu 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ferroelectric thin films Bi 4Ti 3O 12 microstructures annealing temperature |
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