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| 分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜 | |
| 作者姓名： | 严辉 谭利文 宋雪梅 王波 陈光华 姚振宇 刘立明 程业浩 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学材料学院,北京,100022 2. 中国原子能科学研究院,北京,102413 |
| 基金项目： | 北京市青年科技骨干培养基金;; |
| 摘 要： | 采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降. |
| 关 键 词： | 分步偏压 SiC 溅射氚渗透率 |
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