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一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下): 电路设计和实现
引用本文:唐长文,何捷,闵昊.一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下): 电路设计和实现[J].半导体学报,2005,26(11):2182-2190.
作者姓名:唐长文  何捷  闵昊
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433
基金项目:上海市科委资助项目 , 上海市应用材料研究与发展基金
摘    要:为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.

关 键 词:阶跃可变电容  MOS管可变电容  开关阶跃电容  电感电容压控振荡器  振荡调谐曲线  周期计算技术
文章编号:0253-4177(2005)11-2182-09
收稿时间:2005-01-10
修稿时间:2005-06-15

A LC Voltage-Controlled Oscillator Tuned by Switched Step Capacitors:Part II,Circuit Design and Implementation
Tang Zhangwen,He Jie and Min Hao.A LC Voltage-Controlled Oscillator Tuned by Switched Step Capacitors:Part II,Circuit Design and Implementation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2182-2190.
Authors:Tang Zhangwen  He Jie and Min Hao
Affiliation:ASIC & System State Key Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China;ASIC & System State Key Laboratory,Fudan University,Shanghai 200434,China;ASIC & System State Key Laboratory,Fudan University,Shanghai 200435,China
Abstract:
Keywords:step capacitors  MOS varactors  switched step capacitors  voltage-controlled oscillator  oscillator tuning curves  period calculation technique
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