| 溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征 |
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| 引用本文： | 王秩伟,龚恒翔,李雪,谌家军.溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征[J].纳米科技,2007,4(6):50-54. |
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| 作者姓名： | 王秩伟 龚恒翔 李雪 谌家军 |
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| 作者单位： | [1]西华师范大学物理与电子信息学院,四川南充637002 [2]绍兴文理学院材料物理与设备研究所,浙江绍兴312000 |
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| 基金项目： | 绍兴市科技局项目（No.2003141;No.2004147） |
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| 摘 要： | 用氧脉冲直流反应磁控溅射法，在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间％的多晶TiO2纳米薄膜，并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现，脉冲式通氧能有效消除靶中毒，将薄膜沉积速率最大提高到3～5nm／min，并且当断氧时间大于30s时，沉积速率在2．5nm／min以上；薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化，在初始氧浓度为30％、断氧时间为30s时，金红石结构样品具有最佳结晶程度，并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀，而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30％或50％、断氧时间20s.
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| 关 键 词： | TiO2 薄膜 靶中毒 晶体结构 表面形貌 |
| 文章编号： | 1812-1918（2007）06-0050-05 |
| 收稿时间： | 2007-09-02 |
Elimination of Target Poisoning in the Process of TiO2 Thin Films Prepared by Sputtering and Characterization of Films |
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| Authors: | WANG Zhi-wei GONG Heng-xiang LI Xue CHEN Jia-jun |
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| Keywords: | TiO2 thin films target poisoning crystal structure surface morphology |
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