|
|||||
|
|
| 一种基于BCD工艺的高性能振荡器的设计 | |
| 引用本文： | 黄可,冯全源. 一种基于BCD工艺的高性能振荡器的设计[J]. 微电子学, 2009, 39(5) |
| 作者姓名： | 黄可 冯全源 |
| 作者单位： | 西南交通大学,微电子研究所,成都,610031 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金-中物院联合基金资助项目 |
| 摘 要： | 设计了一种基于UMC 0.6μm BCD工艺,中心频率为1 MHz,占空比为90%的振荡器电路.该电路作为DC-DC电源芯片的核心模块之一,采用迟滞和恒流源充放电技术,实现了高精度和高稳定性,具有良好的可移植性.HSPICE仿真结果表明:在2.5～6 V的电源电压和-40℃～125℃的温度范围内,其振荡频率和占空比的偏差分别为±7%和3.1%. |
| 关 键 词： | 振荡器 DC-DC转换器 BCD工艺 |
Design of a High Performance Oscillator Based on BCD Process |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |