| Si基Er2O3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究 |
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| 引用本文： | 苑军军,仇庆林,朱燕艳.Si基Er2O3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究[J].微纳电子技术,2015(2):98-102. |
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| 作者姓名： | 苑军军 仇庆林 朱燕艳 |
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| 作者单位： | 上海电力学院能源与机械工程学院;上海电力学院数理学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11305100);上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700) |
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| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究。发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应。这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理。
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| 关 键 词： | Er2O3 高k材料 界面演变 反射式高能电子衍射(RHEED) 俄歇能谱(AES) |
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