| 空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究 |
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| 引用本文： | 陆剑峰,张忠卫,池卫英,王亮兴,陈鸣波,彭冬生. 空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究[J]. 稀有金属, 2004, 28(3): 508-510 |
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| 作者姓名： | 陆剑峰 张忠卫 池卫英 王亮兴 陈鸣波 彭冬生 |
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| 作者单位： | 上海空间电源研究所,上海,200233 |
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| 摘 要： | 报道了对GaAs／Ge太阳电池器件工艺的研究结果。采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极，栅线宽度小于15μm，厚度在5μm以上；采用NH4OH／H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层；采用真空蒸发制备TiO2／SiO2双层减反射膜，电流密度增益可达25％以上；研制出平均效率达到19％(AM0，1a，25℃)以上的GaAs／Ge太阳电池。
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| 关 键 词： | 太阳电池 GaAs／Ge 器件工艺 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0508-03 |
Fabrication Technology of GaAs/Ge Solar Cells for Space Use |
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| Lu Jianfeng,Zhang Zhongwei,Chi Weiying,Wang Liangxiang,Chen Mingbo,Peng Dongsheng. Fabrication Technology of GaAs/Ge Solar Cells for Space Use[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2004, 28(3): 508-510 |
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| Authors: | Lu Jianfeng Zhang Zhongwei Chi Weiying Wang Liangxiang Chen Mingbo Peng Dongsheng |
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| Affiliation: | Lu Jianfeng,Zhang Zhongwei,Chi Weiying,Wang Liangxiang,Chen Mingbo,Peng Dongsheng~* |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solar cell GaAs/Ge fabrication technology |
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