| 硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响 |
| |
| 引用本文： | 林列,蔡宏琨,张德贤,孙云,郝延明. 硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响[J]. 光电子．激光, 2003, 14(11): 1146-1148 |
| |
| 作者姓名： | 林列 蔡宏琨 张德贤 孙云 郝延明 |
| |
| 作者单位： | 1. 南开大学信息技术科学学院,天津,300071
2. 天津师范大学物理系,天津,300074 |
| |
| 基金项目： | 国家"863"计划资助项目(2002AA715081),国家"973"计划资助项目(ZM200202A01) |
| |
| 摘 要： | 对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω·cm)-1急剧增加到10-1(Ω·cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0%时,暗电导率急剧下降。对B2H6/SiH4为1.0%及1.2%的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2%的光电转换效率优于1.0%。
|
| 关 键 词： | 硼掺杂 非晶硅薄膜 电导率 太阳电池 光电转换效率 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)11-1146-03 |
| 修稿时间： | 2003-07-04 |
Influence of Boron Doping on Conductivity of Amorphous Silicon Films and Photovoltaic Efficiency of Solar Cells |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | amorphous silicon(a-Si) film conductivity solar cell |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
|
