|
|||||
|
|
| 钨的热壁低压选择性化学气相淀积 | |
| 作者姓名： | 沈兆友 李爱珍 |
| 作者单位： | 复旦大学(沈兆友)，复旦大学(李爱珍) |
| 摘 要： | 超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n~+、P~+单晶硅及n~+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |