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| PECVD法低温沉积SiGx薄膜的防水汽扩散性能研究 | |
| 引用本文： | 姜利军,陈翔.PECVD法低温沉积SiGx薄膜的防水汽扩散性能研究[J].功能材料,2000,31(B05):74-76. |
| 作者姓名： | 姜利军 陈翔 |
| 摘 要： | 外界水汽和离子的扩散对集成电路和传感器等器件的性能及使用寿命有很大影响，利用无机钝化材料阻挡水汽和离子的扩散是常用的提高器件寿命和稳定性和方法。本文采用ＰＥＣＶＤ方法在较低的衬底温度条件下沉积碳化硅薄膜，利用各种方法研究了碳化硅薄膜的防潮性能。实验证明，碳化硅薄膜是一种良好的水汽扩散阻挡材料，其防潮能力达到甚至超过了集成电路生产中常用的氮化硅薄膜。并且，低温碳化硅薄膜具有非常好的化学稳定性和抗刻蚀 |
| 关 键 词： | 碳化硅薄膜 PECVD 防水汽扩散性能 |
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