| 电离层阿尔芬谐振器对高频入射波的调制 |
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| 作者姓名： | 倪彬彬 赵正予 魏寒颖 |
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| 作者单位： | 武汉大学,电子信息学院,湖北,武汉,430079;武汉大学,电子信息学院,湖北,武汉,430079;武汉大学,电子信息学院,湖北,武汉,430079 |
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| 摘 要： | 舒曼谐振对高频波谱的调制效应作为高频入射波在电离层中传播产生的非线性效应之一,已经在理论和实验上都得到证明.但电离层中另一个天然谐振腔-电离层阿尔芬谐振器(IAR)是否对高频电磁波同样存在调制作用的问题并未得到重视.文章从波动场对电离层电子温度变化的影响出发,在理论上分析了IAR调制高频电磁波的可能性并讨论了IAR调制高频波的可能机制.结果表明:阿尔芬谐振场对高频波谱的调制效应也是存在的;和舒曼共振场对高频信号的调制机理不同,IAR对高频信号的调制和阿尔芬谐振场的幅度成二次关系,会直接激发形成ULF波和高频信号的交叉谱并在IAR本征频率上产生一系列谱峰值;由于这种调制作用比较微弱以及阿尔芬波频率极低,从而导致ULF磁流体波对高频波的调制效果不易观测到.
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| 关 键 词： | 电离层阿尔芬谐振器 高频波 调制 |
| 文章编号： | 1005-0388(2004)01-0045-04 |
| 修稿时间： | 2003-03-12 |
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