| 碳化硅粉体表面改性研究进展 |
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| 引用本文： | 黄文信,张宁,才庆魁,梁斌,王晓阳,阙洪敏. 碳化硅粉体表面改性研究进展[J]. 中国非金属矿工业导刊, 2010, 0(4) |
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| 作者姓名： | 黄文信 张宁 才庆魁 梁斌 王晓阳 阙洪敏 |
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| 作者单位： | 沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室,辽宁,沈阳,110044 |
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| 摘 要： | 随着纳米技术制备新型陶瓷材料研究的不断深入,对纳米级粉体的使用日益广泛。但由于纳米粉体的表面活性很大,很容易团聚在一起。通过表面改性可以使粉体达到稳定分散,因而这一技术也受到越来越广泛的关注。本文主要对碳化硅纳米粉体表面改性方法及表面改性对粉体性能影响进行了介绍,并且对碳化硅粉体的应用前景进行了展望。
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| 关 键 词： | 碳化硅 表面改性 接枝 分散 |
Research Progress in Surface Modification of Silicon Carbide |
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| HUANG Wen-xin,ZHANG Ning,CAI Qing-kui,LIANG Bin,WANG Xiao-yang,KAN Hong-min. Research Progress in Surface Modification of Silicon Carbide[J]. China Non-Metallic Mining Industry Herald, 2010, 0(4) |
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| Authors: | HUANG Wen-xin ZHANG Ning CAI Qing-kui LIANG Bin WANG Xiao-yang KAN Hong-min |
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