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半导体技术
摘    要:TN301 94060348第n类最子阱中激子的空间屏蔽效应/蔡敏,刘文明,刘有延(华南理工大学)11华南理工大学学报一1994,22(2)一45~50 讨论了空间依赖的介电屏蔽效应对第n类量子阱中激子的影响,研究了电场对GaAs/AIA:第11类量子阱中激子的影响,特别是激子空间屏蔽的电场效应.图4参1仪木)低激发功率密度下G:As卜xPx:N(x一0.88)的NN.对发光/俞容文,郑健生,糜东林,颜炳章履门大学)/I半导体学报一1994,15(7)一444一449 在低激发功率密度条件下研究了混晶材料GaAs卜尹::N(、二。,88)中的NN‘对束缚激子发光.发现随温度升高,在光致发光谱中依次出…

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