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(Pb,La)TiO3薄膜电畴生长的压电响应力显微镜研究
引用本文:张海力,王志红,黄惠东,黄嘉,白凡,郭晓华.(Pb,La)TiO3薄膜电畴生长的压电响应力显微镜研究[J].电子显微学报,2007,26(1):24-27.
作者姓名:张海力  王志红  黄惠东  黄嘉  白凡  郭晓华
作者单位:1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
2. 中国人民解放军3303工厂质检处,湖北,武昌,430200
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:压电响应力显微镜为铁电薄膜电畴的研究提供了一种有效的检测方法.本实验用压电响应力显微镜(PFM)对不同退火温度的(Pb,La)TiO3铁电薄膜进行表征,得到了各个样品相应的形貌像、面外电畴像和面内电畴像.结果表明,随退火温度升高,(Pb,La)TiO3铁电薄膜的表面形貌表现出从粘连到结晶较好,到出现抱团的变化过程;此外,随退火温度升高,铁电薄膜的自发极化强度先增强后减弱.通过对这一系列铁电薄膜电畴进一步研究得到:在625℃退火1 h后,(Pb,La)TiO3铁电薄膜以非铁电相为主;而在650℃和675℃退火1 h后,(Pb,La)TiO3铁电薄膜以铁电相为主.

关 键 词:电畴  压电响应力显微镜  自发极化
文章编号:1000-6281(2007)01-0024-04
修稿时间:2006-09-01

Study on ferroelectric domain's growth of (Pb, La) TiO3 films by piezoresponse force microscopy
ZHANG Hai-li,WANG Zhi-hong,HUANG Hui-dong,HUANG Jia,BAI Fan,GUO Xiao-hua.Study on ferroelectric domain''''s growth of (Pb, La) TiO3 films by piezoresponse force microscopy[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2007,26(1):24-27.
Authors:ZHANG Hai-li  WANG Zhi-hong  HUANG Hui-dong  HUANG Jia  BAI Fan  GUO Xiao-hua
Abstract:
Keywords:ferroelectric domain  piezoresponse force microscopy  spontaneous polarization
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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