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Al—Si合金中共晶硅生长形态的研究
作者姓名:刘玉先 刘相法
摘    要:用氮气雾化法制取了Al-12.54%Si合金微粒,再加热至700℃进行重熔处理;又对加锶变质的Al-13.23%Si合金熔体进行了直流电处理。用扫描和透射电镜研究了不同处理条件对Al-Si合金中共晶硅生长形态的影响,且从理论上分析了快冷所引起的共晶细化和锶与直流电处理的变质作用,试验结果表明,氮气雾化法与重熔处理的试样中,共晶硅呈球状和条状,加锶变质的共晶硅为弯扭的纤维状,直流电熔体处理后共晶硅呈

关 键 词:共晶硅 生长形态 铝合金 氮气雾化法 铝硅合金
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