| GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析 |
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| 引用本文： | 陈伟华,胡晓东,章蓓,黎子兰,潘尧波,胡成余,王琦,陆羽,陆敏,杨志坚,张国义. GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 28-31 |
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| 作者姓名： | 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
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| 关 键 词： | GaN/AlGaN超晶格 透射电镜 激光剥离 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0028-04 |
| 修稿时间： | 2004-09-13 |
TEM Analysis on GaN/AlGaN SLS |
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| Chen Weihua,Hu Xiaodong,Zhang Bei,Li Zilan,Pan Yaobo,Hu Chengyu,Wang Qi,Lu Yu,Lu Min,Yang Zhijian,Zhang Guoyi. TEM Analysis on GaN/AlGaN SLS[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 28-31 |
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| Authors: | Chen Weihua Hu Xiaodong Zhang Bei Li Zilan Pan Yaobo Hu Chengyu Wang Qi Lu Yu Lu Min Yang Zhijian Zhang Guoyi |
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