| SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用 |
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| 引用本文： | 谢生,陈松岩,陈朝,毛陆虹. SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用[J]. 功能材料, 2008, 39(9) |
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| 作者姓名： | 谢生 陈松岩 陈朝 毛陆虹 |
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| 作者单位： | 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器.
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| 关 键 词： | 氮化硅 等离子增强化学汽相沉积 钝化 磷化铟 开管Zn扩散 |
Properties of silicon nitride film and its application to open-tube zinc diffusion |
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| XIE Sheng,CHEN Song-yan,CHEN Chao,MAO Lu-hong. Properties of silicon nitride film and its application to open-tube zinc diffusion[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(9) |
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| Authors: | XIE Sheng CHEN Song-yan CHEN Chao MAO Lu-hong |
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