|
|||||
|
|
| 等离子体刻蚀工艺的优化研究 | |
| 引用本文： | 王晓光,朱晓明,尹延昭.等离子体刻蚀工艺的优化研究[J].中国新技术新产品,2010(14):22-22. |
| 作者姓名： | 王晓光 朱晓明 尹延昭 |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第四十九研究所,芯片与微系统工程中心,黑龙江,哈尔滨,150001 2. 黑龙江工程大学,黑龙江,哈尔滨,150001 |
| 摘 要： | 本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺参数的研究,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线1],优化了刻蚀硅的工艺条件。通过台阶仪的测量,实验结果表明优化工艺条件下的硅化物的刻蚀具有较高的刻蚀速率和较高的选择比。 |
| 关 键 词： | 等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 均匀性 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |