| 弯曲状GaN纳米线的制备及光学性质研究 |
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| 引用本文： | 曾若生. 弯曲状GaN纳米线的制备及光学性质研究[J]. 广州化工, 2015, 0(7) |
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| 作者姓名： | 曾若生 |
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| 作者单位： | 贵州师范大学化学与材料科学学院,贵州贵阳,550001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.21101038，21461006，51472053)；贵州省国际科技合作计划项目(黔科合外G字[2014]7008号)。 |
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| 摘 要： | 采用Ga2O3为Ga源,氨气为N源,通过高温化学气相沉积法制备了新颖的弯曲状Ga N纳米线,六方纤锌矿结构,直径约70~100 nm,长度最长可达几十微米,大部分纳米线呈链状,其生长机制呈VLS生长模式。拉曼光谱表明声子振动带有变宽的特征,基于浅施主态向浅受主态的跃迁包括缺陷层、表面态或残留杂质的影响,PL发光在436 nm和467 nm的出现宽峰。
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| 关 键 词： | GaN 纳米线 光学性质 |
Fabrication of Curving GaN Nanowires and Investigations of Optical Properties |
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| ZENG Ruo-sheng. Fabrication of Curving GaN Nanowires and Investigations of Optical Properties[J]. GuangZhou Chemical Industry and Technology, 2015, 0(7) |
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| Authors: | ZENG Ruo-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN nanowires optical provperties |
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