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电致发热SiC多孔陶瓷制备工艺与性能研究
引用本文:王晓刚,樊子民. 电致发热SiC多孔陶瓷制备工艺与性能研究[J]. 硅酸盐通报, 2004, 23(6): 106-109
作者姓名:王晓刚  樊子民
作者单位:西安科技大学材料工程系,西安,710054
基金项目:宁夏自治区科技攻关项目
摘    要:利用颗粒堆积法成功制备了电致发热多孔SiC陶瓷,通过改变配方中主要原料和辅助原料的颗粒级配,制得了气孔率达40%、电阻率在2~4Ω·m范围的多孔陶瓷制品,并根据SEM,XRD分析和气孔率与电阻率等测试结果,研究了碳化硅和成孔剂颗粒级配与制品性能的关系.

关 键 词:电致发热  碳化硅  多孔陶瓷  电阻率  气孔率,

Reseach the Technology and Performance of Porous SiC Heating Element by Pellet Accumulation
Wang Xiaogang Fan Zimin. Reseach the Technology and Performance of Porous SiC Heating Element by Pellet Accumulation[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2004, 23(6): 106-109
Authors:Wang Xiaogang Fan Zimin
Abstract:
Keywords:heating element silicon carbide electrical conductivity porosity
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