| 100型MEVVA源注入机注入均匀性研究 |
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| 引用本文： | 李强,吴先映,张荟星,刘安东,彭建华,王桂岳. 100型MEVVA源注入机注入均匀性研究[J]. 真空, 2007, 44(1): 29-31 |
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| 作者姓名： | 李强 吴先映 张荟星 刘安东 彭建华 王桂岳 |
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| 作者单位： | 1. 射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875
2. 龙口市比特真空技术有限公司,山东,龙口,265702 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);北京市科技新星计划项目 |
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| 摘 要： | 提高金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源注入机的注入效率,大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。为此开展了100型MEVVA源注入机大批量的工件注入均匀性的研究。本文介绍了100型MEVVA源注入机的靶室结构和靶盘分布,研究了0°定位自转、靶盘公转自转、45°定位自转的注入离子浓度分布。这三种方式的注入离子浓度分布都不能满足大批量均匀注入的需要。但45°定位自转的注入离子浓度分布的趋势与另两种相反,这意味着将45°定位自转与0°定位自转或靶盘公转自转相结合进行复合注入,可以得到均匀的注入效果。通过对几种注入方式的拟合计算来确定复合注入的注入比例。最后通过实验研究了靶盘不同运动状态的复合注入,得到了相当均匀的注入效果。
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| 关 键 词： | 金属蒸汽真空弧 离子注入 0°定位 45°定位 注入均匀性 |
| 文章编号： | 1002-0322（2007）01-0029-03 |
| 修稿时间： | 2006-10-18 |
Implantation homogeneity study on Type-100 MEVVA source ion implantor |
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| LI Qiang,WU Xian-ying,ZHANG Hui-xing,LIU An-dong,PENG jian-hua,WANG Gui-yue. Implantation homogeneity study on Type-100 MEVVA source ion implantor[J]. Vacuum(China), 2007, 44(1): 29-31 |
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| Authors: | LI Qiang WU Xian-ying ZHANG Hui-xing LIU An-dong PENG jian-hua WANG Gui-yue |
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| Affiliation: | 1. The Key Laboratory of Beam Technology and Material Modification of Ministry of Education, Institute of Low Energy Nuclear Physics, Beifing Normal University, Beijing Radiation Center,Beijing 100875, China; 2. Bite Vacuum Technique Co. , LTD. , Longkou City, Longkou 265702, Chiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEVVA ion implantation rotation geneity indixed at 0° rotation indexed at 45° implantation homogeneity |
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