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| 退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响（英文） | |
| 作者姓名： | 覃金牛 温喜章 冯武昌 许望颖 朱德亮 曹培江 柳文军 韩舜 刘新科 方明 曾玉祥 吕有明 |
| 作者单位： | 广东省功能材料界面工程研究中心深圳市特种功能材料实验室深圳大学材料学院 |
| 摘 要： | 为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征.实验结果表明,具有400℃退火温度的Zn O-TFT表现出最佳性能,迁移率为2. 7cm2/Vs,阈值电压为4. 6 V,开/关电流比为5×10~5,亚阈值摆幅为0. 98 V/Dec.电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,Zn O膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |