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聚焦离子束研磨Au-Ti-GaAs薄膜引起损伤的研究
引用本文:谭勇文,徐天伟,谢雪冰,杨卫国,杨海. 聚焦离子束研磨Au-Ti-GaAs薄膜引起损伤的研究[J]. 材料导报, 2008, 22(Z1)
作者姓名:谭勇文  徐天伟  谢雪冰  杨卫国  杨海
摘    要:通过分析纳米孔的透射电子显微镜(TEM)截面图像和蒙特卡罗理论模拟,研究了聚焦离子束(FIB)研磨Au-Ti-GaAs薄膜的基本性能.应用蒙特卡罗方法模拟FIB研磨三层薄膜的损伤深度与离子能量大小的关系,由于材料不同的阻止本领和晶体结构等因素对损伤深度的影响,随着离子能量的增大,损伤深度并非线性增加.同时,溅射物质的重沉积也影响着纳米孔的形貌,对此也作了系统的分析和探讨.

关 键 词:聚焦离子束  非晶层  蒙特卡罗方法  光电子器件

Investigation of Damage Induced in Focused Ion Beam Milling of Au-Ti-GaAs Thin Films
TAN Yongwen,XU Tianwei,XIE Xuebing,YANG Weiguo,YANG Hai. Investigation of Damage Induced in Focused Ion Beam Milling of Au-Ti-GaAs Thin Films[J]. Materials Review, 2008, 22(Z1)
Authors:TAN Yongwen  XU Tianwei  XIE Xuebing  YANG Weiguo  YANG Hai
Abstract:
Keywords:
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