用环形连续氩激光束在无定形衬底上实现硅的再结晶

改变连续氩激光束的模式，在SiO2上生成了大于600微米长的连续单晶硅膜，一种是由大块的硅籽晶横向外延生长的，一种没有横向外延。为了抑制在熔化区两边产生竞争成核，采用环形光束代替通常的高斯分布。控制激光斑的热分布。结果表明，液-固交界面处的线轮廓是硅的再生长机理中最主要的限制参数。