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| “缺陷”在Ti-51.0at%Ni形状记忆合金中作用的正电子湮没研究 | |
| 引用本文： | 王景成,杨海波.“缺陷”在Ti-51.0at%Ni形状记忆合金中作用的正电子湮没研究[J].钢铁研究学报,1988(4). |
| 作者姓名： | 王景成 杨海波 |
| 作者单位： | 上海钢铁研究所 (王景成)，上海钢铁研究所(杨海波) |
| 摘 要： | 测量了不同温度强制时效后,Ti-51.0 at％Ni合金的正电子湮没Doppler展宽能谱线形S参数,及相应试样的可逆形状变化,发现两者有明显的对应关系,表明“缺陷”量是双向记忆元件性能的一个重要控制因素。 |
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