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| 利用RF—等离子气体法由SiO_2粉体合成SiC粉体 | |
| 引用本文： | 浅上修,外园聪子,加藤昭夫,杨清.利用RF—等离子气体法由SiO_2粉体合成SiC粉体[J].陶瓷研究与职业教育,1991(1). |
| 作者姓名： | 浅上修 外园聪子 加藤昭夫 杨清 |
| 作者单位： | 唐山陶研所 |
| 摘 要： | 1.绪言由于气相反应法是得到高纯度微细颗粒的有效方法,所以有关合成SiC粉体方面的研究也就进行得特别广泛。若是将Si(CH_3)_4和SiH_4作为硅的来源,可利用气相反应,于1500℃以下得到超微粒的SiC粉体。然而,这些硅化物,作为工业制造SiC粉体的原料是昂贵的。如采用廉价的SiCl_4和CH_3SiCl_3则由于其生成SiC粉体的反应性能较低,而需要更高的温度。因此,许多专利都是利用等 |
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