离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象 |
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引用本文: | 谭春雨,夏日源,刘清前,刘吉田,王承瑞.离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象[J].核技术,1983(4). |
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作者姓名: | 谭春雨 夏日源 刘清前 刘吉田 王承瑞 |
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作者单位: | 山东大学
(谭春雨,夏日源,刘清前,刘吉田),山东大学(王承瑞) |
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摘 要: | 近几年来,人们研究了离子注入层中注入杂质在退火过程中的再分布。结果表明,广泛的离子品种,例如Pb~ 、As~ 、Sb~ 、Cs~ 、Pt~ 、Bi~ 、Xe~ 、Ni~ 、Br~ 和Cr~ 等高剂量(≥10~(15)atoms/cm~2)注入Si后,在退火时注入的杂质显著地向表面扩散;高剂量离子注入某些金属,退火时也有向表面扩散的现象。因此,高剂量注入的杂质在退火过程中向表面扩散是一个较普遍的现象。
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