改进K型单刀四掷射频MEMS开关 |
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引用本文: | 芮召骏,朱健,黄镇,姜理利.改进K型单刀四掷射频MEMS开关[J].固体电子学研究与进展,2023(3):266-271. |
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作者姓名: | 芮召骏 朱健 黄镇 姜理利 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所 |
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摘 要: | 针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求,设计了一款射频微机电系统(RF-MEMS)单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成,并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中,改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。改进的开关各端口具有插入损耗小和隔离度高的特点。最终流片的测试结果显示:该单刀四掷MEMS开关的插入损耗优于2.8 dB,隔离度优于29 dB。
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关 键 词: | 射频MEMS 硅基工艺 单刀四掷开关 |
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