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| 一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构 | |
| 作者姓名： | 张超 王彩琳 刘园园 杨武华 苏乐 |
| 作者单位： | 1. 西安理工大学,电子工程系;2. 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室 |
| 基金项目： | 陕西省教育厅科学研究计划项目(22JK0484);;陕西省科技厅自然科学基础研究计划项目(2023-JC-QN-0764);;陕西省重点研发计划子课题(2021LLRH-02); |
| 摘 要： | 提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管（BRT）新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式,当n型隐埋层浓度为8×1015 cm-3,隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时,能够有效抑制器件中的电压折回现象,获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V,比传统器件减少了26%。 |
| 关 键 词： | 基极电阻控制晶闸管(BRT) 电子注入增强效应(IE) 载流子存储(CS) |