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| GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述 | |
| 作者姓名： | 彭龙新 邹文静 孔令峥 张占龙 |
| 作者单位： | 1. 南京电子器件研究所;2. 杭州致善微电子科技有限公司 |
| 摘 要： | 综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。 |
| 关 键 词： | 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路 |