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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaN HEMT器件
60
Co-γ辐照效应研究
作者姓名:
邵国键
赵玉峰
王金
周书同
陈韬
景少红
钟世昌
作者单位:
南京电子器件研究所
摘 要:
研究了总剂量4 Mrad(Si)
60
Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的
60
Co-γ抗辐照能力。
关 键 词:
氮化镓高电子迁移率晶体管
辐照效应
总剂量辐照
辐照退化
肖特基势垒
阈值电压
跨导
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