| GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除 |
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| 引用本文： | 陶兆民,夏长虹,潘晓丹,潘峡.GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除[J].电子与信息学报,1989,11(1):107-112. |
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| 作者姓名： | 陶兆民 夏长虹 潘晓丹 潘峡 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所 北京
(陶兆民，夏长虹，潘晓丹)，中国科学院电子学研究所 北京(潘峡) |
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| 摘 要： | 本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
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| 关 键 词： | 光电发射材料 UV/O3法 AES表面分析 |
| 收稿时间： | 1987-9-2 |
| 修稿时间： | 1988-3-26 |
REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GaInAs AND GaInPAs SURFACES |
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| Tao Zhaomin,Xia Changhong,Pan Xiaodan,Pan Xia.REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GaInAs AND GaInPAs SURFACES[J].Journal of Electronics & Information Technology,1989,11(1):107-112. |
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| Authors: | Tao Zhaomin Xia Changhong Pan Xiaodan Pan Xia |
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| Affiliation: | Intitute of Electronics Academia Sinica Beijing |
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| Abstract: | The different results of removing the carbon contamination with UV/O2 from the GaAs, GaP, InP, GalnAs and GafnPAs surfaces are given. |
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| Keywords: | Photoemission material UV/O2 AES surface analysis |
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