| 基于低温键合技术制备SOI材料 |
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| 引用本文： | 詹达,马小波,刘卫丽,宋志棠,封松林. 基于低温键合技术制备SOI材料[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 189-192 |
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| 作者姓名： | 詹达 马小波 刘卫丽 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 200050；中国科学院研究生院，北京 100049;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 200050；中国科学院研究生院，北京 100049;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 200050 |
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| 摘 要： | 通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化，进行直接键合，研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中，键合强度明显加强；高于300℃，键合强度略有增加，但不明显. 结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构，顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度. 该研究结果提供了一种SOI低温技术.
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| 关 键 词： | SOI；等离子体活化；键合强度 |
Fabrication of SOI Material Using Low Temperature Bonding Technology |
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| Zhan D,Ma Xiaobo,Liu Weili,Song Zhitang and Feng Songlin. Fabrication of SOI Material Using Low Temperature Bonding Technology[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 189-192 |
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| Authors: | Zhan D Ma Xiaobo Liu Weili Song Zhitang Feng Songlin |
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| Affiliation: | Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering & Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,Chin;Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering & Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,Chin;Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering & Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering & Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering & Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI plasma activation bonding strength |
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