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| 第三代红外成像器（下） | |
| 引用本文： | 顾聚兴.第三代红外成像器（下）[J].红外,2002(9):33-37. |
| 作者姓名： | 顾聚兴 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 另一种方法是在用铟丘混成之后去除衬底.在制作混成的InSb列阵过程中,衬底的去除是一种标准的操作规程.经过数十次实验,用这种材料制作的甚大规格列阵已得到验证,混成结构的可靠性没有问题.去除CdZnTe衬底有一个附带的好处,那就是列阵对短波长的灵敏度可从0.7μm(CdZnTe的带隙)扩展到可见光和紫外谱区. |
| 关 键 词： | 红外探测器 灵敏度 动态范围 非致冷列阵 像元 第三代红外成像器 |
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