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Zn在GaAs中的开管扩散
作者姓名:刘川  沈家树
作者单位:重庆光电技术研究所(刘川),重庆光电技术研究所(沈家树)
摘    要:采用开管扩散在GaAs中扩散获得成功。比较了不同温度及不同的扩散条件下的扩散结深,扩散浓度的关系;并测量了不同扩散时间Zn的损耗量。采用红外光谱法分析了表面扩散浓度,并在实际的GaAs正面LED中得到了应用。

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