无引线封装高温压力传感器 |
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引用本文: | 田雷,尹延昭,苗欣,吴佐飞.无引线封装高温压力传感器[J].半导体技术,2014,39(12). |
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作者姓名: | 田雷 尹延昭 苗欣 吴佐飞 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十九研究所,哈尔滨150001;中国电子科技集团公司第四十九研究所,哈尔滨150001;中国电子科技集团公司第四十九研究所,哈尔滨150001;中国电子科技集团公司第四十九研究所,哈尔滨150001 |
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摘 要: | 研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度。封装时,将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合;在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔,将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接,形成无引线封装结构。采用无油封装方法,避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析,并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试,测试结果与设计相符,其中传感器的测量范围为0~0.7 MPa,非线性优于0.2%FS,工作温度上限可达450℃。
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关 键 词: | 无引线封装 高温 压力传感器 绝缘层上硅(SOI) 多层金属电极 |
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