| CMP抛光液对TiO2薄膜表面粗糙度的影响 |
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| 作者姓名： | 张玉峰 王胜利 刘玉岭 段波 李若津 杜旭涛 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北工业大学微电子研究所,天津300130 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金项目(E2014202147) |
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| 摘 要： | 采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH值对TiO2薄膜表面粗糙度的影响,并进行了参数优化。实验结果表明,在一定的抛光条件下,选用SiO2磨料体积分数为20%、螯合剂体积分数为1.0%、非离子表面活性剂体积分数为5.0%和pH值为9.0的碱性抛光液,抛光后TiO2薄膜表面没有划痕等抛光缺陷,表面粗糙度为0.308 nm,TiO2薄膜去除速率为24 nm/min,在保证抛光速率的同时降低了TiO2薄膜表面粗糙度,满足工业化生产要求。
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| 关 键 词： | 二氧化钛薄膜 碱性抛光液 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 原子力显微镜(AFM) |
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