| SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应 |
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| 引用本文： | 刘书焕,李达,郭晓强,林东升,张伟,刘新赞.SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应[J].半导体技术,2014,39(10). |
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| 作者姓名： | 刘书焕 李达 郭晓强 林东升 张伟 刘新赞 |
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| 作者单位： | 西安交通大学核科学与技术学院,西安710049;西北核技术研究所,西安710613;清华大学微电子研究所,北京100084;河北经贸大学,石家庄050061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11175139) |
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| 摘 要： | 测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化。实验结果显示在累计辐照剂量超过5 000 Gy(Si)后,器件电流增益变化与辐照剂量存在线性反比关系,且增益损伤系数与器件电流注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化;但器件其他电参数如截止频率fT、交流增益|H21|及结电容(CCBO)与辐照前相比未出现显著退化。利用MEDICI数值模拟分析了SiGe HBT参数退化机理。
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| 关 键 词： | SiGe HBT γ辐射 总剂量效应 电流增益 损伤系数 |
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