| 氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响 |
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| 作者姓名： | 刘作莲 王海燕 杨为家 王文樑 李国强 |
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| 作者单位： | 华南理工大学材料科学与工程学院;华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51372001);广东省杰出青年基金资助项目(S2013050013882);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2011A081301012,2011A081301010,2012A080302002);广东省高等学校科技创新重点项目(cxzd1105) |
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| 摘 要： | 应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时观测,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜的结构性能以及表面形貌等进行表征和分析。结果表明,随着氮化时间的增加,AlN形核种子数量增加并逐渐有序,促进AlN薄膜由多晶转为单晶并提高其晶体质量,有利于AlN薄膜由三维生长转为二维生长,改善AlN薄膜表面形貌。为采用PLD技术制备高质量AlN基器件提供了一种新思路。
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| 关 键 词： | AlN薄膜 脉冲激光沉积(PLD) 氮化时间 高分辨X射线衍射(HRXRD) 扫描电子显微镜(SEM) |
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